MOS晶體管模塊GENESIC現(xiàn)貨供應(yīng)，MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-...
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MOS晶體管模塊GENESIC現(xiàn)貨供應(yīng)，MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-...
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富士電機(jī)IGBT模塊已開(kāi)發(fā)用作電機(jī)變速驅(qū)動(dòng)器的功率轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)元件，不間斷電源等。IGBT是一種半導(dǎo)體器件，它將功率MOSFET的高速開(kāi)關(guān)性能與雙極晶體管的高電壓/高電流處理能力相結(jié)合。模塊 富士FU...
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富士FUJI模塊現(xiàn)貨供應(yīng)，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（...
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分立二極管主要有三種封裝形式：軸向二極管、螺栓型以及平板型。按性能分雪崩型、快恢復(fù)型、標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)型、（平板型）焊接二極管。晶閘管模塊ECOSEMITEK原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨供應(yīng)
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晶體閘流管（Thyristor）又稱(chēng)作可控硅整流器，曾被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極...
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快速恢復(fù)二極管也常用普通二極管的圖形符號(hào)來(lái)表示，用文字說(shuō)明或在型號(hào)上予以區(qū)別。快速恢復(fù)二極管與普通二極管相似，但制造工藝與普通一極管有所不同。在靠近PN結(jié)處的摻雜濃度很低，以此獲得較高的開(kāi)關(guān)速度和較低...
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Bussmann創(chuàng)建于1914年美國(guó)，現(xiàn)在是Eaton伊頓旗下品牌，主要產(chǎn)品包括：Bussmann熔斷器、快速熔斷器、超級(jí)電容、Bussmann固態(tài)控制器、Bussmann保險(xiǎn)絲、Bussmann斷開(kāi)...
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熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開(kāi)電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開(kāi)；運(yùn)用這種原理制成的一種電流...
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熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開(kāi)電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開(kāi)；運(yùn)用這種原理制成的一種電流...
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熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開(kāi)電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開(kāi)；運(yùn)用這種原理制成的一種電流...
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